Caratteristiche

Memoria EEPROM (Flash)

La memoria flash del HC908 è costituita da 4096 byte che vanno sommati ai 48 byte della memoria associata ai vettori di interrupt. Si può cancellare un massimo di 64 byte per volta, mentre in programmazione si possono scrivere per ciclo blocchi da 32 byte.

La programmazione e la cancellazione di dati viene facilitata dai bit di controllo contenuti nel FLRC (Flash Control Register) che verrà trattato successivamente.

Gli indirizzi associati alla memoria EEPROM sono i seguenti:

• $EC00-$FBFF = memoria di programma
• $FFD0-$FFFF = vettori di interrupt

NB: Quando la memoria è vuota tutti i bit sono a 1

Registro di controllo della FLASH (FLASH Control Register $FE08)

Il registro di controllo della memoria EEPROM regola e controlla le operazioni di programmazione e di cancellazione di un blocco di memoria.

HVEN – High Voltage Enable Bit, è un bit di lettura e di scrittura

  che si alza a seconda che la modalità di alto voltaggio sia

  abilitata o disabilitata:

  1 = Modalità di alto voltaggio abilitata

  0 = Modalità di alto voltaggio disabilitata

MASS – Mass Erase Control Bit, è un bit di lettura e di scrittura

  che configura la memoria per eseguire operazioni di

  cancellazione dati in massa o in blocchi:

  1 = Operazione di cancellazione di una massa di dati

  selezionata

  0 = Operazione di cancellazione di un blocco di dati

  selezionata

ERASE – Erase Control Bit, è un bit di lettura e di scrittura che

  configura le operazioni di

  cancellazione dati. Questi bit non devono mai essere

  settati nello stesso momento:

  1 = Operazione di cancellazione dati selezionata

  0 = Operazione di cancellazione dati non selezionata

PGM – Program Control Bit, è un bit di lettura e di scrittura che

  configura la memoria per la programmazione. Questi bit non

  devono mai essere settati nello stesso momento:

  1 = Operazione di programmazione selezionata

  0 = Operazione di programmazione non selezionata

Le operazioni di programmazione e di cancellazione della memoria EEPROM non possono essere effettuate tramite codice di programma.

Le argomentazioni relative alla programmazione sono contenute nell’omonimo modulo.